的科学家圣彼得堡大学在俄罗斯已经测试了一种新技术制造的高效太阳能电池基于A3B5半导体集成在硅衬底上。

A3B5化合物几乎相当于硅(Si)和锗elector-physical属性(Ge)。这A3B5半导体材料包括砷化镓(砷化镓)、砷化铟(ina)、磷化镓(差距),磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)——和锑化铟(InSb),用于制造电子和光电应用程序。

科学家们说,如果使用这种技术,它可以增加现有结果光电转换器的效率的1.5倍。他们表明,A3B5结构可以在一个廉价的硅衬底生长,提供多结太阳能电池的价格下降。

“这种太阳能电池将会更有效地吸收阳光发电,“大学声明补充道。

“我们学会了成长最高的层。这种材料系统也可以被用于过渡层。如果你添加砷,你获得第四纪GaPNAs合金,从它,几个连接操作在太阳光谱的不同部分可以生长在硅衬底上,”说伊凡Mukhin,一个ITMO大学的研究人员。

根据他的说法,这样的潜在效率太阳能电池可以在低浓度下超过40%,这是现代合成仪器技术的1.5倍。

碳氢化合物燃料储备的迅速枯竭和环境问题,越来越多的科学家研究绿色技术的发展,包括太阳能技术的发展。

“碳氢化合物作为传统的能源会枯竭的,和他们的燃烧导致了二氧化碳的生产,“补充道安然无恙。

太阳是一个对地球几乎取之不尽的能源。根据最近的计算,只有1%的每日到达地球的太阳能将足以为人类提供足够的电力一年。

“这就是为什么在不久的将来,太阳能有机会取代传统能源,依靠燃烧化石燃料,“Mukhin说。

同时,研究小组揭示了几个因素阻碍太阳能电池板的更广泛应用。例如,传统的硅太阳能电池的效率相对较低,不到20%。更高效的技术需要更复杂的半导体技术,大大提高了太阳能电池的价格,报告显示。

最常见的硅太阳能电池技术。根据Mukhin,“这是一个相对便宜和广泛的材料。问题是,硅是一种间接的半导体和吸收光,而差,限制了其使用高效的太阳能电池。还有其他半导体材料,如A3B5半导体化合物,包括第三和第五元素周期表组。更好地吸收光但比硅更贵,这显著增加产生的太阳能电池的成本。因此,尽管他们效率高,这不是有利可图的生产。”

2019年11月,北京Hanergy控股集团有限公司宣布,其成都研发中心违反了世界纪录的硅异质结(SHJ)技术与创纪录的25.11%的转换效率。

早些时候,据报道Mercom通过结合薄膜太阳能模块基于钙钛矿半导体和半导体制成的铜、铟、镓、硒,太阳能模块技术可以跨越30%的效率。

图片来源:ITMO

小河是一个新闻主编Mercom印度。加入Mercom之前,她角色的高级编辑,记者,和《印度时报》助理编辑,Biospectrum周日和监护人。在此之前,她曾在《德干先驱报》和Asianlite首席助理编辑和新闻编辑。她还导致了五胞胎,印度斯坦时报》,新印度快报,《读者文摘》(英国版),IndiaSe(新加坡杂志)和Asiaville。小河持有北孟加拉大学地理学硕士学位和文凭大师Ghasidas大学大众传播和新闻,博帕尔。